| Type de document | Thèse |
| Langue | fre |
| Titre | Caractérisation des couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné [ressource textuelle, sauf manuscrits] : comparaison des caractéristiques électriques obtenues sur différents type de configurations |
| Auteur(s) | Laidoudi, Lamia Rahal, Abla (Directeur de thèse) Université des sciences et de la technologie Houari Boumediène (Editeur (scientifique)) |
| Adresse bib. | [s.l] : [s.n],2010 |
| Collation | 72 p. : ill. ; 30 cm. + CD-Rom |
| Notes | Bibliogr. p. 70-72 |
| Notes de thèse | Magister : Alger : Université des sciences et de la technologie Houari Boumediène : 2010 |
| Indexation libre | Semiconducteurs amorphes Couches minces Germanium |
| Résumé | L'intérêt porté au silicium germanium amorphe hydrogéné (a-SiGe:H) vient de son faible coût, de ses propriétés semi-conductrices, de la possibilité d'en moduler le gap en modifiant sa teneur en germanium, ce qui est très recherché dans les applications photovoltaïques et en particulier les cellules solaires multicouches. Notre travail consiste en la caractérisation des couches minces de a-SiGe:H, déposées par pulvérisation cathodique en continu assistée d'un magnétron où le silicium et le germanium sont copulvérisés. Les propriétés optiques, physicochimies, et électriques du matériau sont étudiées. Une attention particulière est portée sur la caractérisation électrique des échantillons à travers leurs paramètres électriques comme la conductivité, son énergie d'activation et leur sensibilité à la lumière blanche. Les effets des variations de la concentration de germanium et d'hydrogène sur ces propriétés sont étudiés et analysés. A travers cette étude, nous avons montré que l'incorporation de germanium dans les couches de a-SiGe:H a bien présenté une diminution du gap lorsque la teneur en germanium augmente. Néanmoins cette diminution du gap s'accompagne d'un désordre supplémentaire responsable d'une dégradation de la sensibilité à la lumière du matériau. Nous avons aussi montré que l'augmentation du contenu en hydrogène des couches conduit à une récupération de leurs propriétés photoconductrices, et que néanmoins, l'efficacité de cette hydrogénation pour passiver les défauts présents dans la couche est plus importante dans les matériaux contenant un faible taux de germanium. |
Laidoudi, Lamia
Caractérisation des couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné [ressource textuelle, sauf manuscrits] : comparaison des caractéristiques électriques obtenues sur différents type de configurations / Lamia Laidoudi; Dir. Abla Rahal, Ed. Université des sciences et de la technologie Houari Boumediène.-[s.l] : [s.n],2010.-72 p. : ill. ; 30 cm. + CD-Rom.
- Bibliogr. p. 70-72
Magister : Alger : 2010
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L'intérêt porté au silicium germanium amorphe hydrogéné (a-SiGe:H) vient de son faible coût, de ses propriétés semi-conductrices, de la possibilité d'en moduler le gap en modifiant sa teneur en germanium, ce qui est très recherché dans les applications photovoltaïques et en particulier les cellules solaires multicouches.
Notre travail consiste en la caractérisation des couches minces de a-SiGe:H, déposées par pulvérisation cathodique en continu assistée d'un magnétron où le silicium et le germanium sont copulvérisés. Les propriétés optiques, physicochimies, et électriques du matériau sont étudiées. Une attention particulière est portée sur la caractérisation électrique des échantillons à travers leurs paramètres électriques comme la conductivité, son énergie d'activation et leur sensibilité à la lumière blanche. Les effets des variations de la concentration de germanium et d'hydrogène sur ces propriétés sont étudiés et analysés.
A travers cette étude, nous avons montré que l'incorporation de germanium dans les couches de a-SiGe:H a bien présenté une diminution du gap lorsque la teneur en germanium augmente. Néanmoins cette diminution du gap s'accompagne d'un désordre supplémentaire responsable d'une dégradation de la sensibilité à la lumière du matériau.
Nous avons aussi montré que l'augmentation du contenu en hydrogène des couches conduit à une récupération de leurs propriétés photoconductrices, et que néanmoins, l'efficacité de cette hydrogénation pour passiver les défauts présents dans la couche est plus importante dans les matériaux contenant un faible taux de germanium.