Public ISBD UNIMARC

Type de documentThèse
Languefre
TitreEffet de l\'électrode transparente sur les propriétés des cellules solaires en hétérojonction à base de silicium [ressource textuelle, sauf manuscrits]
Auteur(s)KHALED , Fahima (Auteur)
Bouloufa Abdesselam (Directeur de thèse)
Adresse bib.batna2 : université batna2 mostefa ben boulaid,2018
Collation124p ; 30 cm.
Notes de thèseDoctorat : Electronique Electrotechnique microélectronique : Université Mustapha Ben Boulaid Batna 2 , Département d'électronique : 2018
ThemeElectronique
Mot (s) cléCellules solaires : Périodiques
RésuméDans ce travail, des films de ZnO:Al ont été déposés sur des substances en verre en utilisant la technique de la pulvérisation cathodique. L'orientation cristallographique déterminée à partir d'un diffractomètre à rayons X, a montré la présence d'un pic préférentiel dans le plan (002). Les paramètres électriques obtenus par des mesures à effet Hall montrent une faible résistivité des films. La bande interdite a été estimée à 3,78 eV environ pour une puissance RF de 50 W. Les paramètres ainsi obtenus ont été utilisés pour simuler une nouvelle structure de cellule solaire à base de silicium microcristallin de type p utilisé comme absorbeur et le ZnO:Al de type n utilisé comme fenêtre optique. Des rendements d'environ 19% ont été atteints grâce à la transmission élevée des couches de ZnO:Al. Afin d'améliorer le rendement de la cellule proposée, une fine couche de silicium microcristallin de type p et fortement dopée a été utilisée pour créer un champ électrique à la surface arrière de la cellule qui va s'opposer au déplacement des porteurs minoritaires vers la surface arrière où la recombinaison est très élevée. L'introduction de ce BSF a réduit significativement la vitesse de recombinaison en surface arrière et par conséquent son effet sur la tension et le courant conduisant à un rendement élevé de 22%.

KHALED , Fahima
Effet de l\'électrode transparente sur les propriétés des cellules solaires en hétérojonction à base de silicium [ressource textuelle, sauf manuscrits] / Fahima KHALED; Dir. Bouloufa Abdesselam.-batna2 : université batna2 mostefa ben boulaid,2018.-124p ; 30 cm.
- Doctorat : Electronique Electrotechnique microélectronique : Université Mustapha Ben Boulaid Batna 2 , Département d'électronique : 2018.

Cellules solaires : Périodiques

Dans ce travail, des films de ZnO:Al ont été déposés sur des substances en verre en utilisant la technique de la pulvérisation cathodique. L'orientation cristallographique déterminée à partir d'un diffractomètre à rayons X, a montré la présence d'un pic préférentiel dans le plan (002). Les paramètres électriques obtenus par des mesures à effet Hall montrent une faible résistivité des films. La bande interdite a été estimée à 3,78 eV environ pour une puissance RF de 50 W. Les paramètres ainsi obtenus ont été utilisés pour simuler une nouvelle structure de cellule solaire à base de silicium microcristallin de type p utilisé comme absorbeur et le ZnO:Al de type n utilisé comme fenêtre optique. Des rendements d'environ 19% ont été atteints grâce à la transmission élevée des couches de ZnO:Al. Afin d'améliorer le rendement de la cellule proposée, une fine couche de silicium microcristallin de type p et fortement dopée a été utilisée pour créer un champ électrique à la surface arrière de la cellule qui va s'opposer au déplacement des porteurs minoritaires vers la surface arrière où la recombinaison est très élevée. L'introduction de ce BSF a réduit significativement la vitesse de recombinaison en surface arrière et par conséquent son effet sur la tension et le courant conduisant à un rendement élevé de 22%.

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330  $aDans ce travail, des films de ZnO:Al ont été déposés sur des substances en verre en utilisant la technique de la pulvérisation cathodique. L'orientation cristallographique déterminée à partir d'un diffractomètre à rayons X, a montré la présence d'un pic préférentiel dans le plan (002). Les paramètres électriques obtenus par des mesures à effet Hall montrent une faible résistivité des films.  La bande interdite a été estimée à 3,78 eV environ pour une puissance RF de 50 W.  Les paramètres ainsi obtenus ont été utilisés pour simuler une nouvelle structure de cellule solaire à base de silicium microcristallin de type p utilisé comme absorbeur et le ZnO:Al de type n utilisé comme fenêtre optique. Des rendements d'environ 19% ont été atteints grâce à la transmission élevée des couches de ZnO:Al. Afin d'améliorer le rendement de la cellule proposée, une fine couche de silicium microcristallin de type p et fortement dopée a été utilisée pour créer un champ électrique à la surface arrière de la cellule qui va s'opposer au déplacement des porteurs minoritaires vers la surface arrière où la recombinaison est très élevée. L'introduction de ce BSF a réduit significativement la vitesse de recombinaison en surface arrière  et par conséquent son effet sur la tension et le courant conduisant  à un rendement élevé de 22%.
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