Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés

Rahmoune, Fayçal

Type de document Thèse
Langue fre
Titre Contribution à l\'étude des défauts de l\'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés [ressource textuelle, sauf manuscrits]
Auteur(s) Rahmoune, Fayçal
Institut national polytechnique (Editeur (scientifique))
Balestra, Francis (Directeur de thèse)
Adresse bib. [s.l] : [s.n],2004
Collation 129 p. : graph. ; 30 cm.
Notes de thèse Doctorat : Optiques et radiofréquences : Grenoble : Institut national polytechnique : 2004
Indexation libre Energie des valeurs
Pompage de charges
Interface silicium
Résumé Le but de ce memoire est l'etude des defauts (etats rapides et etats lents) de l'interface silicium/isolant. la premiere partie de ce memoire est la suite d'un travail de these sur l'analyse en profondeur des defauts de l'interface si-sio2 par la technique du pompage de charges. dans un premier temps, nous avons montre que le profil de pieges obtenu par cette technique est du a une distribution de constantes de temps de capture et non a une distribution en energie des valeurs de section de capture. nous avons trouve aussi que les fluctuations de potentiel de surface contribuent a l'elargissement du pic du profil brut simule ce qui est en tres bon accord avec le profil brut mesure. dans un deuxieme temps, nous avons compare les deux modeles de capture par effet tunnel pur et de capture activee thermiquement. le premier est plus favorable pour expliquer la partie du plateau tandis que le second est plus adapte pour la partie exponentielle du profil. enfin nous avons compare les profils mesures par pompage de charges avec ceux obtenus par la technique de tanner et al. dans la deuxieme partie de ce travail, nous avons presente deux techniques de caracterisation de l'interface si-sio2 dans les mosfet's a oxyde ultra mince. l'une est basee sur l'approche silc, l'autre sur le pompage de charges. ces deux techniques ont ete utilisees pour etudier l'evolution de la densite de defauts avec le stress electrique. nous avons montre que la cinetique de generation de defauts obtenue par pompage de charges est inferieure a celle obtenue par l'approche silc pour des epaisseurs d'oxyde entre 1.2 nm et 2.3 nm.

Rahmoune, Fayçal
Contribution à l\'étude des défauts de l\'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés [ressource textuelle, sauf manuscrits] / Fayçal Rahmoune; Ed. Institut national polytechnique, Dir. Francis Balestra.-[s.l] : [s.n],2004.-129 p. : graph. ; 30 cm.
- Doctorat : Optiques et radiofréquences : Grenoble : 2004.

Le but de ce memoire est l'etude des defauts (etats rapides et etats lents) de l'interface silicium/isolant. la premiere partie de ce memoire est la suite d'un travail de these sur l'analyse en profondeur des defauts de l'interface si-sio2 par la technique du pompage de charges. dans un premier temps, nous avons montre que le profil de pieges obtenu par cette technique est du a une distribution de constantes de temps de capture et non a une distribution en energie des valeurs de section de capture. nous avons trouve aussi que les fluctuations de potentiel de surface contribuent a l'elargissement du pic du profil brut simule ce qui est en tres bon accord avec le profil brut mesure. dans un deuxieme temps, nous avons compare les deux modeles de capture par effet tunnel pur et de capture activee thermiquement. le premier est plus favorable pour expliquer la partie du plateau tandis que le second est plus adapte pour la partie exponentielle du profil. enfin nous avons compare les profils mesures par pompage de charges avec ceux obtenus par la technique de tanner et al. dans la deuxieme partie de ce travail, nous avons presente deux techniques de caracterisation de l'interface si-sio2 dans les mosfet's a oxyde ultra mince. l'une est basee sur l'approche silc, l'autre sur le pompage de charges. ces deux techniques ont ete utilisees pour etudier l'evolution de la densite de defauts avec le stress electrique. nous avons montre que la cinetique de generation de defauts obtenue par pompage de charges est inferieure a celle obtenue par l'approche silc pour des epaisseurs d'oxyde entre 1.2 nm et 2.3 nm.

001119968
100  $a20110424                 y50
101  $afre
2001 $aContribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés$bressource textuelle, sauf manuscrits
210  $a[s.l]$c[s.n]$d2004
215  $a129 p.$cgraph.$d30 cm.
328 1$bDoctorat$cOptiques et radiofréquences$eGrenoble$d2004
330  $aLe but de ce memoire est l'etude des defauts (etats rapides et etats lents) de l'interface silicium/isolant. la premiere partie de ce memoire est la suite d'un travail de these sur l'analyse en profondeur des defauts de l'interface si-sio2 par la technique du pompage de charges. dans un premier temps, nous avons montre que le profil de pieges obtenu par cette technique est du a une distribution de constantes de temps de capture et non a une distribution en energie des valeurs de section de capture. nous avons trouve aussi que les fluctuations de potentiel de surface contribuent a l'elargissement du pic du profil brut simule ce qui est en tres bon accord avec le profil brut mesure. dans un deuxieme temps, nous avons compare les deux modeles de capture par effet tunnel pur et de capture activee thermiquement. le premier est plus favorable pour expliquer la partie du plateau tandis que le second est plus adapte pour la partie exponentielle du profil. enfin nous avons compare les profils mesures par pompage de charges avec ceux obtenus par la technique de tanner et al. dans la deuxieme partie de ce travail, nous avons presente deux techniques de caracterisation de l'interface si-sio2 dans les mosfet's a oxyde ultra mince. l'une est basee sur l'approche silc, l'autre sur le pompage de charges. ces deux techniques ont ete utilisees pour etudier l'evolution de la densite de defauts avec le stress electrique. nous avons montre que la cinetique de generation de defauts obtenue par pompage de charges est inferieure a celle obtenue par l'approche silc pour des epaisseurs d'oxyde entre 1.2 nm et 2.3 nm.
700  $aRahmoune$b Fayçal
702  $aBalestra$b Francis$4727
712  $aInstitut national polytechnique$4340
801 0$aDZ$bBibliothèque
801 1$aDZ$bCCDZ CERIST
801 2$aDZ$bCCDZ CERIST
801 3$aDZ$bCCDZ CERIST
901$ac

Type de document	Thèse
Langue	fre
Titre	Contribution à l\'étude des défauts de l\'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés [ressource textuelle, sauf manuscrits]
Auteur(s)	Rahmoune, Fayçal Institut national polytechnique (Editeur (scientifique)) Balestra, Francis (Directeur de thèse)
Adresse bib.	[s.l] : [s.n],2004
Collation	129 p. : graph. ; 30 cm.
Notes de thèse	Doctorat : Optiques et radiofréquences : Grenoble : Institut national polytechnique : 2004
Indexation libre	Energie des valeurs Pompage de charges Interface silicium
Résumé	Le but de ce memoire est l'etude des defauts (etats rapides et etats lents) de l'interface silicium/isolant. la premiere partie de ce memoire est la suite d'un travail de these sur l'analyse en profondeur des defauts de l'interface si-sio2 par la technique du pompage de charges. dans un premier temps, nous avons montre que le profil de pieges obtenu par cette technique est du a une distribution de constantes de temps de capture et non a une distribution en energie des valeurs de section de capture. nous avons trouve aussi que les fluctuations de potentiel de surface contribuent a l'elargissement du pic du profil brut simule ce qui est en tres bon accord avec le profil brut mesure. dans un deuxieme temps, nous avons compare les deux modeles de capture par effet tunnel pur et de capture activee thermiquement. le premier est plus favorable pour expliquer la partie du plateau tandis que le second est plus adapte pour la partie exponentielle du profil. enfin nous avons compare les profils mesures par pompage de charges avec ceux obtenus par la technique de tanner et al. dans la deuxieme partie de ce travail, nous avons presente deux techniques de caracterisation de l'interface si-sio2 dans les mosfet's a oxyde ultra mince. l'une est basee sur l'approche silc, l'autre sur le pompage de charges. ces deux techniques ont ete utilisees pour etudier l'evolution de la densite de defauts avec le stress electrique. nous avons montre que la cinetique de generation de defauts obtenue par pompage de charges est inferieure a celle obtenue par l'approche silc pour des epaisseurs d'oxyde entre 1.2 nm et 2.3 nm.