Modélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis

Laznek, Samira

Type de document Thèse
Langue fre
Titre Modélisation quantique d\'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis [ressource textuelle, sauf manuscrits]
Auteur(s) Laznek, Samira (Auteur)
Mimoune, S.M. (Directeur de thèse)
Université de Mohamed kheider Biskra (Editeur (scientifique))
Adresse bib. [s.l] : [s.n],2005
Collation 83 p. : ill. ; 30 cm.
Notes de thèse Magister : Physique : Semi-conducteur : Biskra, Université de Mohamed Kheider. Faculté des sciences et science de l'ingénieur : Université de Mohamed kheider Biskra : 2005
Theme Physique
Indexation libre Champ hétéro-jonction
Structures nanométriques
Modélisation quantique
Transistors à effet de champ
Résumé Le modèle du transistor Si/Si1-xGex contraint avec des couches -dopé d'être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal Si et la couche -dopée type n et l'épaisseur de cette couche -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu'une grande variation de bande conduction ou du fraction molaire du Ge, les électrons sont confinés plus grand dans le canal Si. La surface entre le Si canal et la couche -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons trouve dans le canal Si.

Laznek, Samira
Modélisation quantique d\'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis [ressource textuelle, sauf manuscrits] / Samira Laznek; Dir. S.M. Mimoune; Ed. Université de Mohamed kheider Biskra.-[s.l] : [s.n],2005.-83 p. : ill. ; 30 cm.
- Magister : Physique : Semi-conducteur : Biskra, Université de Mohamed Kheider. Faculté des sciences et science de l'ingénieur : 2005.

Le modèle du transistor Si/Si1-xGex contraint avec des couches -dopé d'être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal Si et la couche -dopée type n et l'épaisseur de cette couche -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu'une grande variation de bande conduction ou du fraction molaire du Ge, les électrons sont confinés plus grand dans le canal Si. La surface entre le Si canal et la couche -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons trouve dans le canal Si.

001121492
100  $a20110424                 y50
101  $afre$cfre
2001 $aModélisation quantique d'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis$bressource textuelle, sauf manuscrits
210  $a[s.l]$c[s.n]$d2005
215  $a83 p.$cill.$d30 cm.
328 1$bMagister$cPhysique : Semi-conducteur$eBiskra, Université de Mohamed Kheider. Faculté des sciences et science de l'ingénieur$d2005
330  $aLe modèle du transistor Si/Si1-xGex contraint avec des couches  -dopé d'être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques.    On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal Si et la couche  -dopée type n et l'épaisseur de cette couche  -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu'une grande variation de bande conduction ou du fraction molaire du Ge, les électrons sont confinés plus grand dans le canal Si. La surface entre le Si canal et la couche  -dopée forme une barrière de potentiel,  quand la barrière est petite la majorité des électrons trouve dans le canal Si.
615  $n31$aPhysique$2theme CCDZ CERIST 2011
700  $aLaznek$b Samira$4070
701  $aMimoune$b S$bM$4727
712  $aUniversité de Mohamed kheider Biskra$4340$4727
801 0$aDZ$bBibliothèque
801 1$aDZ$bCCDZ CERIST
801 2$aDZ$bCCDZ CERIST
801 3$aDZ$bCCDZ CERIST
901$ac

Type de document	Thèse
Langue	fre
Titre	Modélisation quantique d\'un transistor à effet de champ hétéro-jonction à base sige par la méthode des volumes finis [ressource textuelle, sauf manuscrits]
Auteur(s)	Laznek, Samira (Auteur) Mimoune, S.M. (Directeur de thèse) Université de Mohamed kheider Biskra (Editeur (scientifique))
Adresse bib.	[s.l] : [s.n],2005
Collation	83 p. : ill. ; 30 cm.
Notes de thèse	Magister : Physique : Semi-conducteur : Biskra, Université de Mohamed Kheider. Faculté des sciences et science de l'ingénieur : Université de Mohamed kheider Biskra : 2005
Theme	Physique
Indexation libre	Champ hétéro-jonction Structures nanométriques Modélisation quantique Transistors à effet de champ
Résumé	Le modèle du transistor Si/Si1-xGex contraint avec des couches -dopé d'être développé. Quand les dimensions de ces composants deviennent de plus en plus très petite, Cela nous emmène à prendre en considération les effets quantiques. On utilise le modèle quantique pour étudier les effets des différentes transitions de la bande de conduction et la variation entre le canal Si et la couche -dopée type n et l'épaisseur de cette couche -dopée à la température ambiante. Nous avons trouvé qu'une grande variation de bande conduction ou du fraction molaire du Ge, les électrons sont confinés plus grand dans le canal Si. La surface entre le Si canal et la couche -dopée forme une barrière de potentiel, quand la barrière est petite la majorité des électrons trouve dans le canal Si.